Développement de sous-cellules pin InGaAsN à 1 eV pour intégration en MJSC et applications spatiales - Équipe Photonique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Développement de sous-cellules pin InGaAsN à 1 eV pour intégration en MJSC et applications spatiales

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-02382557 , version 1 (18-11-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02382557 , version 1

Citer

Maxime Levillayer, Guilhem Almuneau, Inès Massiot, Alexandre Arnoult, Chantal Fontaine, et al.. Développement de sous-cellules pin InGaAsN à 1 eV pour intégration en MJSC et applications spatiales. Journées Nationales du Photovoltaïque, Dec 2019, Dourdan, France. ⟨hal-02382557⟩
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